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FDFM2N111

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Número da peça
FDFM2N111
Fabricante
ON Semiconductor
Descrição
MOSFET N-CH 20V 4A 3X3 MLP
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
FDFM2N111.pdf
Total:$0.39978
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(Em dólares americanos)
1pcs
$0.39978

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Número da peça
FDFM2N111
Fabricante
ON Semiconductor
Descrição
MOSFET N-CH 20V 4A 3X3 MLP
Status da Peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
4A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
3.8nC @ 4.5V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
273pF @ 10V
Recurso FET
Schottky Diode (Isolated)
Dissipação de energia (máx.)
1.7W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
MicroFET 3x3mm
Pacote / caso
6-WDFN Exposed Pad

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