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HTMN5130SSD-13

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Número da peça
HTMN5130SSD-13
Fabricante
Diodes Incorporated
Descrição
MOSFET 2N-CH 55V 2.6A 8SOIC
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
HTMN5130SSD-13.pdf
Total:$1.00780
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Preço de referência
(Em dólares americanos)
1pcs
$1.00780

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Número da peça
HTMN5130SSD-13
Fabricante
Diodes Incorporated
Descrição
MOSFET 2N-CH 55V 2.6A 8SOIC
Status da Peça
Active
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET
Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
55V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
2.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
130 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
8.9nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
218.7pF @ 25V
Potência - Max
1.7W
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / caso
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
8-SO

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