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MUR4L60HB0G

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Número da peça
MUR4L60HB0G
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Descrição
DIODE GEN PURP 600V 4A DO201AD
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
MUR4L60HB0G.pdf
Total:$0.26100
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(Em dólares americanos)
1pcs
$0.26100

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Número da peça
MUR4L60HB0G
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Descrição
DIODE GEN PURP 600V 4A DO201AD
Status da Peça
Active
Tipo de Diodo
Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max)
600V
Atual - Média Retificada (Io)
4A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If
1.28V @ 4A
Rapidez
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr)
50ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr
10µA @ 600V
Capacitância @ Vr, F
65pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote / caso
DO-201AD, Axial
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
DO-201AD
Temperatura de funcionamento - junção
-55°C ~ 175°C

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