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Casa Produtos Produtos de semicondutores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single IPB70P04P409ATMA1

IPB70P04P409ATMA1

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Número da peça
IPB70P04P409ATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET N-CH TO263-3
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
IPB70P04P409ATMA1.pdf
Total:$0.76659
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Preço de referência
(Em dólares americanos)		 1pcs
$0.76659

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Número da peça
IPB70P04P409ATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET N-CH TO263-3
Status da Peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
72A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.1 mOhm @ 70A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 120µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
70nC @ 10V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
4810pF @ 25V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
75W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
D²PAK (TO-263AB)
Pacote / caso
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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