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SI4621DY-T1-E3

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Número da peça
SI4621DY-T1-E3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-SOIC
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
SI4621DY-T1-E3.pdf
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(Em dólares americanos)
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Número da peça
SI4621DY-T1-E3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-SOIC
Status da Peça
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
6.2A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
54 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 10V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
450pF @ 10V
Recurso FET
Schottky Diode (Isolated)
Dissipação de energia (máx.)
2W (Ta), 3.1W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
8-SO
Pacote / caso
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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