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Casa Produtos Produtos de semicondutores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single DMN2005UFG-7

DMN2005UFG-7

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Número da peça
DMN2005UFG-7
Fabricante
Diodes Incorporated
Descrição
MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
DMN2005UFG-7.pdf
Total:$0.27432
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(Em dólares americanos)		 1pcs
$0.27432

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Número da peça
DMN2005UFG-7
Fabricante
Diodes Incorporated
Descrição
MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8
Status da Peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
18.1A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.6 mOhm @ 13.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
164nC @ 10V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
6495pF @ 10V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1.05W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
PowerDI3333-8
Pacote / caso
8-PowerWDFN

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