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IPS65R650CEAKMA1

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Número da peça
IPS65R650CEAKMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET N-CH 700V 10.1A IPAK
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
IPS65R650CEAKMA1.pdf
Total:$0.43719
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(Em dólares americanos)
1pcs
$0.43719

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Número da peça
IPS65R650CEAKMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET N-CH 700V 10.1A IPAK
Status da Peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
700V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
10.1A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
650 mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.5V @ 210µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 10V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
440pF @ 100V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
86W (Tc)
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
PG-TO251-3
Pacote / caso
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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