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2N7635-GA

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Número da peça
2N7635-GA
Fabricante
GeneSiC Semiconductor
Descrição
TRANS SJT 650V 4A TO-257
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Total:$0.00000
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(Em dólares americanos)
1pcs
$0.00000

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Número da peça
2N7635-GA
Fabricante
GeneSiC Semiconductor
Descrição
TRANS SJT 650V 4A TO-257
Status da Peça
Obsolete
Tipo FET
-
Tecnologia
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
4A (Tc) (165°C)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
415 mOhm @ 4A
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vgs (máx.)
-
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
324pF @ 35V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
47W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 225°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
TO-257
Pacote / caso
TO-257-3

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