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2SK4125-1E

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Número da peça
2SK4125-1E
Fabricante
ON Semiconductor
Descrição
MOSFET N-CH 600V 17A
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
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(Em dólares americanos)
1pcs
$0.00000

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Número da peça
2SK4125-1E
Fabricante
ON Semiconductor
Descrição
MOSFET N-CH 600V 17A
Status da Peça
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
17A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
610 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
46nC @ 10V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1200pF @ 30V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.5W (Ta), 170W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
TO-3P-3L
Pacote / caso
TO-3P-3, SC-65-3

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