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TK8Q65W,S1Q

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Número da peça
TK8Q65W,S1Q
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição
MOSFET N-CH 650V 7.8A IPAK
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Total:$1.56000
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(Em dólares americanos)
1pcs
$1.56000

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Número da peça
TK8Q65W,S1Q
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição
MOSFET N-CH 650V 7.8A IPAK
Status da Peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
7.8A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
670 mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.5V @ 300µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 10V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
570pF @ 300V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
80W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
I-PAK
Pacote / caso
TO-251-3 Stub Leads, IPak

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