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IXFT6N100Q

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Número da peça
IXFT6N100Q
Fabricante
IXYS Corporation
Descrição
MOSFET N-CH 1000V 6A TO-268
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
IXFT6N100Q.pdf
Total:$9.02000
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Preço de referência
(Em dólares americanos)
1pcs
$9.02000

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Número da peça
IXFT6N100Q
Fabricante
IXYS Corporation
Descrição
MOSFET N-CH 1000V 6A TO-268
Status da Peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
1000V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
6A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.9 Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 2.5mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
48nC @ 10V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
2200pF @ 25V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
180W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
TO-268
Pacote / caso
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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