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EFC6602R-TR

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Número da peça
EFC6602R-TR
Fabricante
ON Semiconductor
Descrição
MOSFET 2N-CH EFCP
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Total:$0.00000
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Preço de referência
(Em dólares americanos)
1pcs
$0.00000

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Número da peça
EFC6602R-TR
Fabricante
ON Semiconductor
Descrição
MOSFET 2N-CH EFCP
Status da Peça
Active
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
-
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
55nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
-
Potência - Max
2W
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / caso
6-XFBGA, FCBGA
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
EFCP2718-6CE-020

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