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SQJ872EP-T1_GE3

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Número da peça
SQJ872EP-T1_GE3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET N-CHAN 150V
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
SQJ872EP-T1_GE3.pdf
Total:$0.63419
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(Em dólares americanos)
1pcs
$0.63419

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Número da peça
SQJ872EP-T1_GE3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET N-CHAN 150V
Status da Peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
150V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
24.5A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
35.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 10V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1045pF @ 25V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
55W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
PowerPAK® SO-8
Pacote / caso
8-PowerTDFN

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