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Casa Produtos Produtos de semicondutores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single IRFSL23N20D102P

IRFSL23N20D102P

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Número da peça
IRFSL23N20D102P
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET N-CH 200V 24A TO-262
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
IRFSL23N20D102P.pdf
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Número da peça
IRFSL23N20D102P
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET N-CH 200V 24A TO-262
Status da Peça
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
24A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
86nC @ 10V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1960pF @ 25V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.8W (Ta), 170W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
TO-262
Pacote / caso
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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