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NGTD13T65F2WP

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Número da peça
NGTD13T65F2WP
Fabricante
ON Semiconductor
Descrição
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Total:$1.76684
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Preço de referência
(Em dólares americanos)
1pcs
$1.76684

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Número da peça
NGTD13T65F2WP
Fabricante
ON Semiconductor
Descrição
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
Status da Peça
Active
Tipo IGBT
Trench Field Stop
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max)
650V
Corrente - Coletor (Ic) (Max)
-
Corrente - Coletor Pulsado (Icm)
120A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic
2.2V @ 15V, 30A
Potência - Max
-
Energia de comutação
-
Tipo de entrada
Standard
Carga do Portão
-
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C
-
Condição de teste
-
Tempo de Recuperação Reversa (trr)
-
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / caso
Die
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
Die

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