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1N4935GHB0G

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Número da peça
1N4935GHB0G
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Descrição
DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
1N4935GHB0G.pdf
Total:$0.03570
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(Em dólares americanos)
1pcs
$0.03570

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Número da peça
1N4935GHB0G
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Descrição
DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL
Status da Peça
Active
Tipo de Diodo
Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max)
200V
Atual - Média Retificada (Io)
1A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If
1.2V @ 1A
Rapidez
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr)
200ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr
5µA @ 200V
Capacitância @ Vr, F
10pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote / caso
DO-204AL, DO-41, Axial
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
DO-204AL (DO-41)
Temperatura de funcionamento - junção
-55°C ~ 150°C

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