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TK22E10N1,S1X

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Número da peça
TK22E10N1,S1X
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição
MOSFET N CH 100V 52A TO220
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Total:$1.37000
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(Em dólares americanos)
1pcs
$1.37000

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Número da peça
TK22E10N1,S1X
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição
MOSFET N CH 100V 52A TO220
Status da Peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
52A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13.8 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 300µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
28nC @ 10V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1800pF @ 50V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
72W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
TO-220
Pacote / caso
TO-220-3

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