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PMDPB56XN,115

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Número da peça
PMDPB56XN,115
Fabricante
NXP Semiconductors
Descrição
MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
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(Em dólares americanos)
1pcs
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Número da peça
PMDPB56XN,115
Fabricante
NXP Semiconductors
Descrição
MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6
Status da Peça
Obsolete
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET
Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
3.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
73 mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
2.9nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
170pF @ 15V
Potência - Max
510mW
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / caso
6-UDFN Exposed Pad
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
DFN2020-6

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