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SQJB60EP-T1_GE3

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Número da peça
SQJB60EP-T1_GE3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
SQJB60EP-T1_GE3.pdf
Total:$0.56859
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(Em dólares americanos)
1pcs
$0.56859

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Número da peça
SQJB60EP-T1_GE3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
Status da Peça
Active
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET
Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1600pF @ 25V
Potência - Max
48W
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / caso
PowerPAK® SO-8 Dual
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
PowerPAK® SO-8 Dual

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