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NVMFS5H663NLT1G

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Número da peça
NVMFS5H663NLT1G
Fabricante
ON Semiconductor
Descrição
T8 60V LOW COSS
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Total:$0.52140
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(Em dólares americanos)
1pcs
$0.52140

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Número da peça
NVMFS5H663NLT1G
Fabricante
ON Semiconductor
Descrição
T8 60V LOW COSS
Status da Peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
16.2A (Ta), 67A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 56µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 10V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1131pF @ 30V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.7W (Ta), 63W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pacote / caso
8-PowerTDFN, 5 Leads

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