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FF6MR12W2M1B11BOMA1

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Número da peça
FF6MR12W2M1B11BOMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET MODULE 1200V 200A
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
FF6MR12W2M1B11BOMA1.pdf
Total:$319.79000
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Preço de referência
(Em dólares americanos)
1pcs
$319.79000

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Número da peça
FF6MR12W2M1B11BOMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET MODULE 1200V 200A
Status da Peça
Active
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET
Silicon Carbide (SiC)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
1200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
200A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.63 mOhm @ 200A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id
5.55V @ 10mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
496nC @ 15V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
14700pF @ 800V
Potência - Max
20mW (Tc)
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Chassis Mount
Pacote / caso
Module
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
AG-EASY2BM-2

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