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BSF083N03LQ G

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Número da peça
BSF083N03LQ G
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET N-CH 30V 53A MG-WDSON-2
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
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(Em dólares americanos)
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Número da peça
BSF083N03LQ G
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET N-CH 30V 53A MG-WDSON-2
Status da Peça
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
13A (Ta), 53A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 10V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1800pF @ 15V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.2W (Ta), 36W (Tc)
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
MG-WDSON-2, CanPAK M™
Pacote / caso
3-WDSON

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