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Casa Produtos Produtos de semicondutores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single IPB50R199CPATMA1

IPB50R199CPATMA1

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Número da peça
IPB50R199CPATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET N-CH 550V 17A TO-263
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
IPB50R199CPATMA1.pdf
Total:$1.70155
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Preço de referência
(Em dólares americanos)		 1pcs
$1.70155

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Número da peça
IPB50R199CPATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET N-CH 550V 17A TO-263
Status da Peça
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
550V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
17A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
199 mOhm @ 9.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.5V @ 660µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
45nC @ 10V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1800pF @ 100V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
139W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
PG-TO263-3-2
Pacote / caso
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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