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IXFN50N120SIC

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Número da peça
IXFN50N120SIC
Fabricante
IXYS Corporation
Descrição
MOSFET N-CH
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
IXFN50N120SIC.pdf
Total:$61.47200
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Preço de referência
(Em dólares americanos)
1pcs
$61.47200

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Número da peça
IXFN50N120SIC
Fabricante
IXYS Corporation
Descrição
MOSFET N-CH
Status da Peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
1200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
47A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
50 mOhm @ 40A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.2V @ 2mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
100nC @ 20V
Vgs (máx.)
+20V, -5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1900pF @ 1000V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
-
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Chassis Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
SOT-227B
Pacote / caso
SOT-227-4, miniBLOC

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