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ESH3B M6G

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Número da peça
ESH3B M6G
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Descrição
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
ESH3B M6G.pdf
Total:$0.11160
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(Em dólares americanos)
1pcs
$0.11160

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Número da peça
ESH3B M6G
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Descrição
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
Status da Peça
Not For New Designs
Tipo de Diodo
Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max)
100V
Atual - Média Retificada (Io)
3A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If
900mV @ 3A
Rapidez
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr)
20ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr
5µA @ 100V
Capacitância @ Vr, F
45pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / caso
DO-214AB, SMC
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
DO-214AB (SMC)
Temperatura de funcionamento - junção
-55°C ~ 175°C

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