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SI1029X-T1-E3

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Número da peça
SI1029X-T1-E3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET N/P-CH 60V SOT563F
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
SI1029X-T1-E3.pdf
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(Em dólares americanos)
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Número da peça
SI1029X-T1-E3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET N/P-CH 60V SOT563F
Status da Peça
Obsolete
Tipo FET
N and P-Channel
Recurso FET
Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
305mA, 190mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
0.75nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
30pF @ 25V
Potência - Max
250mW
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / caso
SOT-563, SOT-666
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
SC-89-6

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