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SIZ700DT-T1-GE3

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Número da peça
SIZ700DT-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET 2N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
SIZ700DT-T1-GE3.pdf
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(Em dólares americanos)
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Número da peça
SIZ700DT-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET 2N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
Status da Peça
Obsolete
Tipo FET
2 N-Channel (Half Bridge)
Recurso FET
Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
16A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.6 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1300pF @ 10V
Potência - Max
2.36W, 2.8W
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / caso
6-PowerPair™
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
6-PowerPair™

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