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IPB081N06L3GATMA1

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Número da peça
IPB081N06L3GATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
IPB081N06L3GATMA1.pdf
Total:$0.74333
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(Em dólares americanos)
1pcs
$0.74333

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Número da peça
IPB081N06L3GATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3
Status da Peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
50A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.1 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.2V @ 34µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
29nC @ 4.5V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
4900pF @ 30V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
79W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
D²PAK (TO-263AB)
Pacote / caso
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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