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IPG20N10S4L35ATMA1

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Número da peça
IPG20N10S4L35ATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET 2N-CH 8TDSON
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
IPG20N10S4L35ATMA1.pdf
Total:$0.47226
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(Em dólares americanos)
1pcs
$0.47226

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Número da peça
IPG20N10S4L35ATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET 2N-CH 8TDSON
Status da Peça
Active
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET
Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
35 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.1V @ 16µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
17.4nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1105pF @ 25V
Potência - Max
43W
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / caso
8-PowerVDFN
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
PG-TDSON-8-4

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