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TSM6502CR RLG

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Número da peça
TSM6502CR RLG
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Descrição
MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8PDFN
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
TSM6502CR RLG.pdf
Total:$0.26825
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(Em dólares americanos)
1pcs
$0.26825

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Número da peça
TSM6502CR RLG
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Descrição
MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8PDFN
Status da Peça
Active
Tipo FET
N and P-Channel
Recurso FET
Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
24A (Tc), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
34 mOhm @ 5.4A, 10V, 68 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
10.3nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1159pF @ 30V, 930pF @ 30V
Potência - Max
40W
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / caso
8-PowerTDFN
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
8-PDFN (5x6)

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