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TPH3208LSG

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Número da peça
TPH3208LSG
Fabricante
Transphorm
Descrição
GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Total:$11.35000
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Preço de referência
(Em dólares americanos)
1pcs
$11.35000

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Número da peça
TPH3208LSG
Fabricante
Transphorm
Descrição
GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
Status da Peça
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
GaNFET (Gallium Nitride)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
20A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
130 mOhm @ 14A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.6V @ 300µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
42nC @ 8V
Vgs (máx.)
±18V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
760pF @ 400V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
96W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
3-PQFN (8x8)
Pacote / caso
3-PowerDFN

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