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Casa Produtos Produtos de semicondutores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single TK4A60DB(STA4,Q,M)

TK4A60DB(STA4,Q,M)

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Número da peça
TK4A60DB(STA4,Q,M)
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição
MOSFET N-CH 600V 3.7A TO-220SIS
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
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(Em dólares americanos)		 1pcs
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Número da peça
TK4A60DB(STA4,Q,M)
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição
MOSFET N-CH 600V 3.7A TO-220SIS
Status da Peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
3.7A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2 Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 10V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
540pF @ 25V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
35W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
TO-220SIS
Pacote / caso
TO-220-3 Full Pack

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