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GP2M002A065PG

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Número da peça
GP2M002A065PG
Fabricante
Global Power Technologies Group, Inc.
Descrição
MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
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(Em dólares americanos)
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Número da peça
GP2M002A065PG
Fabricante
Global Power Technologies Group, Inc.
Descrição
MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK
Status da Peça
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
1.8A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.6 Ohm @ 900mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
8.5nC @ 10V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
353pF @ 25V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
52W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
I-PAK
Pacote / caso
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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