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TSM120N10PQ56 RLG

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Número da peça
TSM120N10PQ56 RLG
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Descrição
MOSFET N-CH 100V 58A 8PDFN
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
TSM120N10PQ56 RLG.pdf
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(Em dólares americanos)
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Número da peça
TSM120N10PQ56 RLG
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Descrição
MOSFET N-CH 100V 58A 8PDFN
Status da Peça
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
58A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
145nC @ 10V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
3902pF @ 30V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
36W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
8-PDFN (5x6)
Pacote / caso
8-PowerTDFN

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