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GA10SICP12-263

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Número da peça
GA10SICP12-263
Fabricante
GeneSiC Semiconductor
Descrição
TRANS SJT 1200V 25A TO263-7
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
GA10SICP12-263.pdf
Total:$27.91740
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(Em dólares americanos)
1pcs
$27.91740

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Número da peça
GA10SICP12-263
Fabricante
GeneSiC Semiconductor
Descrição
TRANS SJT 1200V 25A TO263-7
Status da Peça
Active
Tipo FET
-
Tecnologia
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
1200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
25A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 10A
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vgs (máx.)
-
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1403pF @ 800V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
170W (Tc)
Temperatura de operação
175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
D2PAK (7-Lead)
Pacote / caso
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

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