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SI7872DP-T1-GE3

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Número da peça
SI7872DP-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
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Número da peça
SI7872DP-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8
Status da Peça
Obsolete
Tipo FET
2 N-Channel (Half Bridge)
Recurso FET
Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
6.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
22 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
-
Potência - Max
1.4W
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / caso
PowerPAK® SO-8 Dual
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
PowerPAK® SO-8 Dual

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