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SI5915DC-T1-GE3

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Número da peça
SI5915DC-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
SI5915DC-T1-GE3.pdf
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(Em dólares americanos)
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Número da peça
SI5915DC-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8
Status da Peça
Obsolete
Tipo FET
2 P-Channel (Dual)
Recurso FET
Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
8V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
70 mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
450mV @ 250µA (Min)
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
9nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
-
Potência - Max
1.1W
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / caso
8-SMD, Flat Lead
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
1206-8 ChipFET™

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