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SI6413DQ-T1-GE3

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Número da peça
SI6413DQ-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET P-CH 20V 7.2A 8TSSOP
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
SI6413DQ-T1-GE3.pdf
Total:$1.02465
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(Em dólares americanos)
1pcs
$1.02465

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Número da peça
SI6413DQ-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET P-CH 20V 7.2A 8TSSOP
Status da Peça
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
7.2A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10 mOhm @ 8.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
800mV @ 400µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
105nC @ 5V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
-
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1.05W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
8-TSSOP
Pacote / caso
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

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