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SQM120N10-09_GE3

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Número da peça
SQM120N10-09_GE3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET N-CH 100V 120A TO263
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
SQM120N10-09_GE3.pdf
Total:$1.86995
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(Em dólares americanos)
1pcs
$1.86995

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Número da peça
SQM120N10-09_GE3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET N-CH 100V 120A TO263
Status da Peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
120A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.5 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
180nC @ 10V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
8645pF @ 25V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
375W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
TO-263 (D²Pak)
Pacote / caso
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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