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SI5401DC-T1-GE3

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Número da peça
SI5401DC-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
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Número da peça
SI5401DC-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8
Status da Peça
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
5.2A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
32 mOhm @ 5.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 4.5V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
-
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1.3W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
1206-8 ChipFET™
Pacote / caso
8-SMD, Flat Lead

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