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Casa Produtos Produtos de semicondutores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single BSC025N03MSGATMA1

BSC025N03MSGATMA1

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Número da peça
BSC025N03MSGATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
BSC025N03MSGATMA1.pdf
Total:$0.53165
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(Em dólares americanos)		 1pcs
$0.53165

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Número da peça
BSC025N03MSGATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
Status da Peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
23A (Ta). 100A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.5 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
98nC @ 10V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
7600pF @ 15V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.5W (Ta), 83W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
PG-TDSON-8
Pacote / caso
8-PowerTDFN

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