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SIB911DK-T1-E3

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Número da peça
SIB911DK-T1-E3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
SIB911DK-T1-E3.pdf
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(Em dólares americanos)
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Número da peça
SIB911DK-T1-E3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6
Status da Peça
Obsolete
Tipo FET
2 P-Channel (Dual)
Recurso FET
Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
2.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
295 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
4nC @ 8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
115pF @ 10V
Potência - Max
3.1W
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / caso
PowerPAK® SC-75-6L Dual
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
PowerPAK® SC-75-6L Dual

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