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SIHH11N60EF-T1-GE3

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Número da peça
SIHH11N60EF-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET N-CH 600V 11A POWERPAK8X8
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
SIHH11N60EF-T1-GE3.pdf
Total:$2.08916
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(Em dólares americanos)
1pcs
$2.08916

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Número da peça
SIHH11N60EF-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET N-CH 600V 11A POWERPAK8X8
Status da Peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
11A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
357 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
62nC @ 10V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1078pF @ 100V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
114W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
PowerPAK® 8 x 8
Pacote / caso
8-PowerTDFN

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