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SIE836DF-T1-E3

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Número da peça
SIE836DF-T1-E3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
SIE836DF-T1-E3.pdf
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(Em dólares americanos)
1pcs
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Número da peça
SIE836DF-T1-E3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK
Status da Peça
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
18.3A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
130 mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
41nC @ 10V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1200pF @ 100V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
5.2W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
10-PolarPAK® (SH)
Pacote / caso
10-PolarPAK® (SH)

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