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SIHB12N50C-E3

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Número da peça
SIHB12N50C-E3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
SIHB12N50C-E3.pdf
Total:$3.09960
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(Em dólares americanos)
1pcs
$3.09960

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Número da peça
SIHB12N50C-E3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
Status da Peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
500V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
12A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
555 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
48nC @ 10V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1375pF @ 25V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
208W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
D²PAK (TO-263)
Pacote / caso
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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