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RGT8NS65DGTL

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Número da peça
RGT8NS65DGTL
Fabricante
ROHM Semiconductor
Descrição
IGBT 650V 8A 65W TO-263S
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Total:$0.56070
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(Em dólares americanos)
1pcs
$0.56070

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Número da peça
RGT8NS65DGTL
Fabricante
ROHM Semiconductor
Descrição
IGBT 650V 8A 65W TO-263S
Status da Peça
Active
Tipo IGBT
Trench Field Stop
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max)
650V
Corrente - Coletor (Ic) (Max)
8A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm)
12A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 4A
Potência - Max
65W
Energia de comutação
-
Tipo de entrada
Standard
Carga do Portão
13.5nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C
17ns/69ns
Condição de teste
400V, 4A, 50 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr)
40ns
Temperatura de operação
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / caso
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
LPDS (TO-263S)

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