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SI5902BDC-T1-GE3

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Número da peça
SI5902BDC-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
SI5902BDC-T1-GE3.pdf
Total:$0.62320
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(Em dólares americanos)
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$0.62320

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Número da peça
SI5902BDC-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
Status da Peça
Active
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET
Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
65 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
7nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
220pF @ 15V
Potência - Max
3.12W
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / caso
8-SMD, Flat Lead
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
1206-8 ChipFET™

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