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IXTY1R4N100P

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Número da peça
IXTY1R4N100P
Fabricante
IXYS Corporation
Descrição
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-252
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
IXTY1R4N100P.pdf
Total:$1.87500
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(Em dólares americanos)
1pcs
$1.87500

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Número da peça
IXTY1R4N100P
Fabricante
IXYS Corporation
Descrição
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-252
Status da Peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
1000V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
1.4A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
17.8nC @ 10V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
450pF @ 25V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
63W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
TO-252, (D-Pak)
Pacote / caso
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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