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SI3909DV-T1-GE3

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Número da peça
SI3909DV-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET 2P-CH 20V 6TSOP
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
SI3909DV-T1-GE3.pdf
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(Em dólares americanos)
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Número da peça
SI3909DV-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET 2P-CH 20V 6TSOP
Status da Peça
Obsolete
Tipo FET
2 P-Channel (Dual)
Recurso FET
Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
200 mOhm @ 1.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
500mV @ 250µA (Min)
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
4nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
-
Potência - Max
1.15W
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / caso
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
6-TSOP

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