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DS1230AB-200IND

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Número da peça
DS1230AB-200IND
Fabricante
Maxim Integrated
Descrição
IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
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(Em dólares americanos)
1pcs
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Número da peça
DS1230AB-200IND
Fabricante
Maxim Integrated
Descrição
IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP
Status da Peça
Obsolete
Tipo de memória
Non-Volatile
Formato de memória
NVSRAM
Tecnologia
NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Tamanho da memória
256Kb (32K x 8)
Freqüência do relógio
-
Escrever tempo de ciclo - Word, página
200ns
Tempo de acesso
200ns
Interface de memória
Parallel
Tensão - fonte
4.75V ~ 5.25V
Temperatura de operação
-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote / caso
28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
28-EDIP

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